三星3nm芯片将于第二季度开始量产
三星3nm芯片将于第二季度开始量产三星电子宣布，将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。三星方面表示：“这是世界上首次大规模生产的GAA 3纳米工艺，将以此提高技术领先地位。”
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